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簡(jiǎn)要描述:壓電力學(xué)探測(cè)器l 彎曲導(dǎo)軌可實(shí)現(xiàn)最小傾斜度的線性運(yùn)動(dòng)l 行程范圍為1 mml 力至100 nl 剛性和無(wú)側(cè)隙結(jié)構(gòu)l 可提供集成位置傳感器l 壓電執(zhí)行器的使用壽命l 理想的OEM致動(dòng)器,用于自適應(yīng)系統(tǒng)技術(shù)中的力生成,用于納米壓印工藝或機(jī)床l 具有更長(zhǎng)行程范圍、更短響應(yīng)時(shí)間或無(wú)磁性的定制版本
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壓電力學(xué)探測(cè)器
壓電驅(qū)動(dòng)器參數(shù):
l 彎曲導(dǎo)軌可實(shí)現(xiàn)最小傾斜度的線性運(yùn)動(dòng)
l 行程范圍為1 mm
l 力至100 n
l 剛性和無(wú)側(cè)隙結(jié)構(gòu)
l 可提供集成位置傳感器
l 壓電執(zhí)行器的使用壽命
l 理想的OEM致動(dòng)器,用于自適應(yīng)系統(tǒng)技術(shù)中的力生成,用于納米壓印工藝或機(jī)床
l 具有更長(zhǎng)行程范圍、更短響應(yīng)時(shí)間或無(wú)磁性的定制版本
l 納米定位
l 高速切換
l 膜片鉗
l 微量點(diǎn)膠
l 自適應(yīng)系統(tǒng)技術(shù)/自動(dòng)化
l 光子/集成光學(xué)
l 生物技術(shù)
使用壽命
壓電執(zhí)行器均為陶瓷絕緣。這可以保護(hù)它們不受濕度和漏電流增加引起的故障的影響。執(zhí)行器的使用壽命是傳統(tǒng)聚合物絕緣執(zhí)行器的十倍。證明了1000億次循環(huán)中沒(méi)有一次故障。
零間隙柔性導(dǎo)軌具有較高的導(dǎo)向精度
柔性導(dǎo)軌無(wú)需維護(hù)、摩擦和磨損,并且不需要潤(rùn)滑。它們的剛度允許高負(fù)載能力,并且對(duì)沖擊和振動(dòng)不敏感。它們?cè)诤軐挼臏囟确秶鷥?nèi)工作。
可搭配新型MEMS探針。
這些新型MEMS探針具有更大的彈性和熱穩(wěn)定性,因?yàn)樗鼈兙哂懈鼒?jiān)固的組件和新的幾何形狀,類似于去年推出的0.025N/m探針。此外,它們使我們能夠在96個(gè)微孔板內(nèi)對(duì)探針進(jìn)行小型化測(cè)量。新型MEMS探針的剛度分別為0.25±0.07和3.5±0.7 N/m。半徑為R=3、10、25、50μm的0.25和3.5 N/m探針將取代目前的0.5 N/m和5 N/m帶狀懸臂探針。
由于光纖和懸臂之間的間隙更大,波長(zhǎng)掃描具有更多的條紋。我們建議增加激光功率以提高信噪比。
MEMS探針的校準(zhǔn)應(yīng)在聚四氟乙烯基板上進(jìn)行,尤其是在空氣中由于靜電力的存在而進(jìn)行測(cè)量時(shí)。Teflon基板將與探頭一起發(fā)送。由于懸臂共振頻率的變化,開(kāi)環(huán)階段(階躍而非連續(xù)運(yùn)動(dòng))的表面程序可能會(huì)顯示懸臂上的振動(dòng)。如果系統(tǒng)過(guò)早停止查找表面程序,則減小步長(zhǎng)或增加靈敏度(閾值)。如果使用閉環(huán)壓痕(壓痕-或負(fù)載控制),則變形率(壓痕速度)或最大壓痕深度或負(fù)載不會(huì)發(fā)生任何變化,因?yàn)殚]環(huán)操作測(cè)量不取決于探針剛度。如果使用開(kāi)環(huán)壓痕(位移控制),樣品將以較低的變形率(壓痕速度)進(jìn)行測(cè)量,并且與使用相同位移輪廓但更硬的探針(0.5和5 N/m)相比,使用0.25和3.5 N/m探針將達(dá)到較低的壓痕深度或載荷。您可以通過(guò)增加壓電速度和位移來(lái)相應(yīng)地調(diào)整位移輪廓。
激光功率調(diào)整
MEMS的較大空腔導(dǎo)致信號(hào)的強(qiáng)度較低。為了增加信噪比,可以增加激光功率。您可以將其增加到25.12 mW的最大激光功率。然后,繼續(xù)正常校準(zhǔn)程序。因此,您將看到波長(zhǎng)掃描后的增益設(shè)置低于使用最小激光功率時(shí)的增益設(shè)置。如果測(cè)量是在空氣中進(jìn)行的,則將激光功率從最大功率降低到較低功率,因?yàn)榭諝庵械男盘?hào)強(qiáng)度高得多,并且最大激光功率可能導(dǎo)致信號(hào)飽和,這將導(dǎo)致波長(zhǎng)掃描后的平坦線。
使用要點(diǎn)
當(dāng)在液體(如水、培養(yǎng)基)中進(jìn)行測(cè)量時(shí),您可以通過(guò)將探針盒上給出的值除以培養(yǎng)基的折射指數(shù)(如n=1.33)來(lái)驗(yàn)證您的校準(zhǔn)幾何因子。如果幾何因素不符合預(yù)期:
-在校準(zhǔn)過(guò)程中,檢查探針是否與基板接觸。
-用異丙醇(1-2毫升,持續(xù)0.5-1分鐘)清潔探針和基底,然后用水沖洗以去除任何殘留物。
-校準(zhǔn)后,通過(guò)在基板上按與校準(zhǔn)相同的距離(通常為3000 nm)從接觸處壓痕,檢查解調(diào)圓以及壓電和懸臂信號(hào)之間的重疊。
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